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원자력연, SK하이닉스와 반도체 협력 강화
원자력연, SK하이닉스와 반도체 협력 강화- 반도체 방사선 신뢰성 연구센터 현판 제막- 양성자가속기 등 연구시설 공동 활용- 우주·대기방사선 영향평가 기술 고도화 한국원자력연구원과 SK하이닉스가 28일 상호협력 협약을 체결했다. (왼쪽부터) 임인철 한국원자력연구원 원장 직무대행, 송준호 SK하이닉스 부사장. (자료제공: 원자력연)...
특집
특집
잉크젯 프린팅 공정을 활용한 프로톤 세라믹 전기화학 셀 개발_심준형
Special 차세대 연료전지 및 전해전지 개발 동향(1)잉크젯 프린팅 공정을 활용한 프로톤 세라믹 전기화학 셀 개발: 디스플레이 제조기술에서 차세대 그린수소 에너지 시스템으로심준형_고려대학교 기계공학과 교수1. 서 론전 세계적으로 탄소중립과 에너지 안보가 국가 경쟁력의 핵심 요소로 부상하면서 수소 기반 에너지 시스템에 대한 관...
기고/칼럼
칼럼
기고
인터뷰
세라믹스 차이나 2026 전시회 참관기_이호준
기고-참관기세라믹스 차이나 2026 전시회 참관기- 40주년 맞이한 ‘Ceramics China 2026’, 중국의 세라믹 산업 혁신과 글로벌 참여- 2026 중국 광저우 세라믹스 차이나 수출 컨소시엄 사업으로 한국기업 참가이호준_대건엠텍(주) 대표이사제40회 세라믹스차이나 2026 개막일 개막식과 입구 전경세라믹스 차이나 2026 소개지난 6월 24일부터 27일까...
세라미스트광장
세라미스트광장
재료硏, ‘소재기술백서 2025’ 발간
재료硏, ‘소재기술백서 2025’ 발간- 2009년 처음 발간한 이후 올해로 열일곱 번째 발간- 대한민국 소재 경쟁력, 한 권에 담아‘소재기술백서 2025’ (자료제공: KIMS)한국재료연구원(KIMS, 원장 최철진) 소재 국가기술전략센터(센터장 문희성)는 ‘소재기술백서 2025’를 발간했다고 7월 31일 밝혔다. 소재기술백서는 국내외 소재...
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대기 중에서 안정되고 독성이 없으며 X선에서 가시광으로의 변환효율도 높은 신티레이터 재료 개발
대기 중에서 안정되고 독성이 없으며 X선에서 가시광으로의 변환효율도 높은 신티레이터 재료 개발 大阪市立大 대학원의 中山正昭 교수는 대기 중에서 안정되고 독성이 없으며, X선에서 가시광으로…
2003-07-09 20:34:27
휴대전화와 휴대전보말단용 미세금형 고속.고정밀하게 제작하는 방전.절삭가공의 병용가공 시스템 개발
휴대전화와 휴대전보단말용 미세금형 고속·고정밀하게 제작하는 방전·절삭가공의 병용가공 시스템 개발 橋川製作所(廣島市 南區, 사장 橋川榮一)를 중심으로 하는 산학관 연구팀은 휴대전화와 휴…
2003-07-09 20:33:29
원가 40% 감소하는 새로운 금형가공법 개발
원가 40% 감소하는 새로운 금형가공법 개발 금형콘사르(千葉縣 鎌ヶ谷市, 사장 左甲斐久)는 종래의 금형공법에 비해 대폭적인 가공시간 단축과 원가절감을 실현할 새로운 가공법을 개발했다. 수치제…
2003-07-09 20:32:38
아몰퍼스 금속의 적층제를 만드는 기술 세계최초 실용화
아몰퍼스 금속의 적층체를 만드는 기술 세계최초 실용화 日本非晶質金屬(東京都 墨田區, 사장 小浜彰)은 아몰퍼스 금속의 적층체를 만드는 기술을 세계 최초로 실용화했다. 통상의 아몰퍼스 금속은 …
2003-07-09 20:32:08
미국 벨연구소 공동으로 단분자 스핀밸브 개발,실온에서 30%의 GMR관측
미국 벨연구소 공동으로 단분자 스핀밸브 개발, 실온에서 30%의 GMR관측 미국 벨 연구소, NEC 북미 연구소, 캐나다의 시몬 프레이저 대학은 공동으로 당분자 시핀밸브를 개발했다. 강자성체인 니켈로 비…
2003-07-09 20:31:37
석탄화력 발전소용으로 신종 오염가스배출방지시스템 개발
석탄화력 발전소용으로 신종 오염가스배출방지시스템 개발 미국의 인터내셔널 리서치 앤드 디벨로프먼드사는 석탄화력발전소용으로 신종 오염가스배출 방지 시스템을 개발, 실용화했다. 「퓨어플 …
2003-07-09 20:30:48
베어링 슬러지 철원화,압축하여 경화제로 처리
베어링 슬러지 철원화(鐵源化), 압축하여 경화제로 처리 光洋精工은 베어링 제품의 표면 연마 시에 발생하는 슬러지(찌꺼기)를 철원화하는 기술을 개발했다. 슬러지를 압축하여 경화제를 넣는 기술로…
2003-07-09 20:30:04
1.15~1.6마이크로미터 대외 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측
1.15~1.6마이크로미터 대의 ISBT광 흡수 질화물 반도체로 관측 上智大學의 克巳 교수 등은 질화물 반도체 초격자에서 1.15마이크로미터 대에서 1.6마이크로미터까지 서브밴드간 천이(ISBT)에 의한 광흡수를…
2003-07-09 20:29:32
연삭으로 평면 조도 9.5나노미터 초정밀 금형제작기술 확립
연삭으로 평면 조도 9.5나노미터 초정밀 금형제작기술 확립 東北파이오니아는 宮城縣 산업기술종합센터(仙臺市)의 협력을 얻어, 연삭으로 평면 조도가 싱글 나노급인 초정밀 금형제작기술을 확립했…
2003-07-09 20:28:47
질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공
질화물 반도체에서 공명 터널 다이오드 실온동작 성공 上智대학의 岸野克巳 교수 등은 질화물 반도체에서 최초로 공명 터널 다이오드(RTD)의 실온동작에 성공했다. 분자선 에피탁시(MBE)로 계면을 급준…
2003-07-09 20:28:15
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