미국 벨연구소 공동으로 단분자 스핀밸브 개발, 실온에서 30%의 GMR관측 미국 벨 연구소, NEC 북미 연구소, 캐나다의 시몬 프레이저 대학은 공동으로 당분자 시핀밸브를 개발했다. 강자성체인 니켈로 비자성체 유기단분자 막을 끼운 구조로, 스핀밸브 동작과 실온에서도 30%를 넘는 거대자기저항효과(GMR)을 관측했다. 단분자에서도 전자의전하 이외의 스핀 정보를 이용하는 분자스핀 트로닉스에 새 길을 여는 성과. 단분자 스핀밸브는 벨 연구소 독자의 실리콘 기판을 계단모양으로 가공하여, 막 두께 방향으로 자기조직단분자(SAM)막을 적층하는 구조를 이용했다. 실리콘의 계단표면을 열산화하여, 하부 전극으로써 니켈을 200나노미터 증착. 절연성 단분자 모재인 1펜탄에티올(AT) SAM으로 메운 비자성 SAM인 벤젠-1, 4-디티올(BDT)를 니켈 기판 위에 쌓은 뒤에 다시 경사 증착으로 상부 전극인 니켈을 30나노미터 두께로 형성했다. BDT·SAM과 AT·SAM의 혼합SAM은 용액에서 자기조적직으로 니켈 표면에 형성했다. SAM에 손상을 주지 않기 위해서는, 저온에서 증착하면 된다는 것을 알았다. 스핀밸브 동작은 강자성 전극인 니켈에 평행, 반평행한 외부자장을 가했을 때의 저항의 변화를 스위치 동작으로써 확인했다. 절대온도 2K에서 저항변화율이 110%, 실온에서 30%라는 GMR이 얻어졌다. 이렇게 큰 GMR은 단분자막이 효과적이었던 것 같다. (NK)