산화아연 나노와이어에 의해 발생되는 레이저 University of California, Berkeley의 과학자들은 상온에서 산화아연 반도체 나노와이어에서 거울반사 없는 자외선 레이저를 개발하였다. 사파이어 기질 상에 위스커 크기의 성장으로 인해, 과학자들은 광학적 계산과 정보의 저장에 상용되어 질 수 있는 이상적으로 소형화되어진 레이저의 빛 근원을 만들어 내었다고 믿었다. 20~150nm의 지름을 가지는 수직배열의 나노와이어가 제조되었고, 2~10㎛의 결정길이를 약 2~10분 사이의 결정 성장시간을 조정하여 얻었다. 이러한 과정의 기술은 현재 산업에서 사용되고 있는 방법에 비해 경쟁력을 가진다. (ACB)