고속 가스플레임 용사법으로 광촉매성이 높은 산화티탄 아니타제상의 비율이 100%인 고제막 형성 성공 大阪대학 접합과학연구소의 大森明 교수, 谷知史 대학원생 등은 고속 가스플레임 용사법(HVOF)으로 광촉매성이 높은 산화티탄 아나타제상의 비율이 거의 100%인 고체막의 형성에 성공했다. 대기 속에서 큰 면적 가공이 가능하여, 생분해성 플라스틱에 기능을 부가할 수 있다는 것이 특징. 이번에는 1차 입경 200나노미터의 아나타제 분말을 사용했는데, 앞으로는 20~30나노미터나 몇 나노미터의 분말을 사용한 고체막 형성에 의한 광촉매 성능의 향상을 목표로 한다. 광촉매을 성능향상을 목표로 용사분말에는 1차 입경 200나노미터, 조립(造粒) 후의 평균 입경 33나노미터의 산화티탄 아나타제 분말을 사용했다. 피막형성은 HVOF, 플라즈마 용사법으로 비교했다. HVOF에서는 분말에 들어가는 열량이 적고, 입자가 초속 380미터의 고속으로 기재 표면에 충돌하여 적층한다. 극히 표면의 용융한 플라스틱이 바인더의 역할을 하고 있다. 플라즈마 용사에서는 입자 스피드는 초속 100미터 전후. 용사 중에 플라스틱 표면의 용융이 있다. 따라서 용융한 기재 표면에 용융·미용융이 혼합한 용사입자가 매몰, 표면을 완전히 덮은 후에 용융입자가 기재를 피복한다. 용사 직후의 기재 표면온도는 HVOF에 의한 것인 68℃로 플라즈마 용사보다 약 20℃ 낮다. 피막형성의 차이는 입자 스피드와 기판 표면온도의 차이가 원인이라고 생각할 수 있다. X선 회절로 피막의 아나타제상의 비율을 조사한 결과, HVOF에 의한 것이 거의 100%, 플라즈마 용사의 경우는 34.2%가 되었다. 아세트알데히드의 분해능은 HVOF에 의한 피막에서는 1시간 30분이면 거의 분해되었다. 플라즈마 용사에 의한 피막에서는 아나타제상이 있음에도 불구하고 광촉매 활성을 보이지 않았다. (NK)