대학에서 만든 벤처기업인 魁반도체(교토시 左京區 사장 田口貢士)는 원료에 모노시란 가스를 사용하지 않고 안전하게 고품질의 실리콘 질화막을 형성하는 방법 및 장치를 개발하여 국제특허를 출원하였다. 실리콘 질화막은 전자산업의 2대 절연막의 하나로, 치밀한 구조를 가지고, 전기 절연성도 뛰어나다. 주로 반도체 표면보호장막에 사용되는데, 모노실란 가스를 원료로 하기 때문에 현재의 성막장치는 복잡하고 가격이 비싼 것이 문제점이라고 한다. 새로운 성막법은 문부과학성이 추진하는 지적 클러스터 창성사업의 하나인 ‘교토 나노테크 사업 창성 클러스터’의 지원을 받은 교토 공업섬유대학과 교토 고도 기술연구소(ASTE M), 魁반도체가 공동으로 연구 개발하였다. 모노실란 가스의 대체연로로서 화학적으로 안정된 헥사메칠지시라틴(HMSDS)를 사용하였다. HMD는 탄소를 포함하고 있기 때문에 지금까지는 실린콘질화막안에 탄소가 혼입, 막특성이 약하고 실용화 하기 어렵다고 한다. 이 회사는 독자적인 제법으로 탄소함유량이 매우 적은 고밀도의 막형성에 성공하였다. (CJ)