물질, 재료연구기구와 太陽誘電은 휴대정보단말의 화상개선을 가능케 하는 나노사이즈의발광 어레이 기술을 개발했다고 발표했다. 결정이방성 에칭과 기계화학연마기술을 구사한 실리콘 미세가공으로 산화아연을 나노미터 오더로 격자모양으로 배열한 것으로 종래에 비해 소형화한 것으로 초고정세한 화상표시가 가능하게 되었다. 휴대전화 등 정보단말의 디스플레이는 화질향상과 가격 저감이 커다란 과제. 그러나 현재는 후막인쇄에 의한 형광체 발광부분과 구동용 반도체 칩을 별도로 만들기 때문에 발과 유닛의 소형화와 가격 다운에는 한계가 있었다. 그래서 物材機構의 羽田肇 디렉터와 太陽誘電의 藤本正之 첨단디바이스 부장 등 팀은 저전압에서 작동하고 재료원가도 싼 산화아연에 주목, 반도체 프로세스와의 일체화로 소형화를 실현했다. 실리콘의 (100)면에 이방성 에칭기술로 서브마이크로미터 스케일의 배열과 나노미터 오더의 역 피라미드형 피트어레이를 형성, 거기에 화학기상성장법(CVD법)으로 산화아연박막을 성막한 후, 기계화학연마기술로 표면을 평탄하게 하여 고품위 산화아연을 매립한다는 것이 포인트. 1평방센티미터당 2500만개의 도트를 형성, 파장 390나노미터의 형광발광을 확인했다. 재료원가와 함께 반도체 제조기술을 이용한 일체형성이 가능하여 대폭적인 원가절감이 전망된다. 디스플레이 이외에 실리콘 디바이스와 일체화한 초소형 밸리스터, 초소형 압전어레이 등에 대한 응용이 기대된다고 한다. (NK)