고 κ 절연막 필름 개발 신뢰할 만하고 비용에서 효율성을 가지는 고 κ 게이트 절연막 필름의 개발은 차세대 칩 기술의 성공에 매우 중요한 요소이다. Samsung Semi conductor Inc. (San Jose, Calif.)는 하프늄 이산화물-알루미늄 산화물 라미네이트 필름을 실리콘 웨이퍼 상에 제조하는 차세대의 웨이퍼 제조 기술을 개발하였다. 고 κ 콘덴서 절연막 필름은 티타늄 산화물의 전기용량보다 더 높은 용량을 가지고, 콘덴서 제조의 단계를 줄인다. 게다가 새로운 과정은 나노미터 기술의 도입을 진전시키고, 커다란 자본의 투자 없이 기존의 설비에 적용할 수 있게 해준다. (ACB)