富士通연구소는 1셀에 2비트의 데이터를 저장할 수 있어 고집적화에 적합한 불휘발성 메모리 ‘미러플러쉬’의 전자축적절연층에 알루미나막을 채용함으로써 전자의 유지성능을 높이는데 성공했다. 유지효과가 높기 때문에 앞으로 가일층 미세화가 가능해질 것이라고 한다. 미러플러쉬는 富士通가 미국 어드밴스트 마이크로디바이세즈(AMD)와 공동으로 개발한 신구조를 가진 메모리 방식. 하나의 셀 속에 두 개의 전자유지영역을 형성하여 2비트의 데이터를 유지할 수 있으며 기존의 프로세스 기술만으로 대용량화할 수 있다. 1셀에 2비트를 축적하는 방식은 그밖에도 있지만, 미러플러쉬는 절연막 속에 전자를 국소적으로 보전하기 때문에 보다 신뢰성이 높다고 한다. 미러플러쉬에서는 지금까지 전자를 축적하는 절연막에 실리콘 질화막을 이용하고 있었지만, 전자를 가두는 트랩 준위가 0.3eV로 낮아 차세대, 차차세대의 고집적화에서 전자의 유지가 불안정하게 되리라 예측되고 있다. 이번에 트랩 준위가 0.7eV로 깊은 알루미나를 채용했다. 신재료를 검증한 결과, 트랜지스터의 소스와 드레인의 1셀 내의 두 군데에 전자를 출입시킬 수 있는 2비트 동작을 확인했다. 또 실리콘 질화막의 경우는 전자를 뽑아낼 때 역으로 정공이 막혀 버리는 ‘과소거(過消去)’의 문제가 있었으나 알루미나는 정공을 포획하지 않는 성질이 있기 때문에 단시간 소거가 가능하다는 것을 알았다. (CJ)