일본기아츠는 미에대학 공학부 平松和政 교수와 공동으로 기판상에 고품질 단결정 질화알루미늄막을 성장시키는 기술을 개발하였다. 사파이어 기판과 탄화규소 기판에서 성공하였다. 질화 알루미늄 막으로서는 세계 최고 수준의 품질. 발광 디바이스 등의 기판재료에도 응용 가능하며, 그중에서도 LED용 기판을 제조하는 실용적 방법으로 기대하고 있다. 개발한 기술은 가스를 원료로 하여 막을 성장시키는 MOCVD에 의해 1000℃ 이상의 고온에서 직접 질화 알루미늄 막을 기판상에 에피텍셜을 성장시킨다. 이에 따라 2인치 각의 기판에서 막두께 약 1㎛, 표면평균 거칠기 0.2㎚이하라는 막평가에서 매우 고품질의 단결정을 만들었다. 질화 알루미늄 단결정 재료는 적외선에 이르기까지 막이 투명하고 열전도율도 높다. 그렇기 때문에 적외선 영역의 LED 기판 재료로서 유망시 된다. 하지만 지금까지의 제조방법으로는 크랙 등이 생겨 실용적인 제조방법은 개발되지 않았다. 이번에 개발한 제조방법이라면 효율 좋은 고품질의 막을 만들 수 있기에 적외선 LED용 기판 제조방법으로 실용화가 기대된다. (CJ)