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SiC 나노와이어 성장시키는 방법 개발
  • 편집부
  • 등록 2004-09-19 20:09:29
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SiC 나노기둥이나 나노와이어를 주형에 넣으면 SiC와 SiC 화합물의 강도와 취성이 향상된다는 것이 보고 된 바 있다. 이를 이용하여, SiC 나노와이어를 티라노-SA SSiC 섬유에 동시성장시킬 수 있는 새로운 방법이 일본의 국립 재료 연구소와 미래 에너지 연구소의 연구진에 의해 개발되었다. 화학 기상 침투 공정을 이용해 약 100nm 두께와 수십 마이크로미터 길이를 가진 -SiC 나노선이 1373K에서 티라노-SA SiC 섬유위에 성공적으로 합성되었다. (ACB)

 

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