이전에는 관찰할 수 없었던 ZnO 내에 결함을 관찰할 수 있는 방법이 오하이오 주립대학에서 개발되었다. UHV SEM(Ultra High Vacuum Scanning Electronic Microscopy)에 음극 발광 분광기를 장착하여 ZnO-Si2O3 파우더 내에 존재하는 마이크로 크기의 결정립에 포함되어 있던 결함들이 내놓는 빛을 검출해 낼 수 있었다. 이번 연구로 전자를 내놓는 결함들이 벌크 내에 존재해 이 영역을 매우 전도성이 좋게 만드는 반면 ZnO 결정립계는 장벽 역할을 한다는 증거를 제시할 수 있게 되었다. 이 발견은 많은 연구진들이 미시적인 수준(마이크로 수준)에서 일어난다고 예상해 왔으나 이제까지 증명해보이지는 못했었다. (ACB)